Patch de puce de transistor à effet de champ MOS FDD4141 TO-252
| Numéro de modèle | FDD4141 |
| Vidange à la source | 40V |
| Courant - | 10.8A (Ta), 50A (Tc) |
| Tension d'entraînement (Max） | 4.5V, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Charge de porte (Qg) | 50 nC à 10 V |
| Capacité d'entrée | 2775pF @ 20V |
| Vg (Max) | ±20V |
| Fonction FET | - |
| Dissipation de puissance | 2,4 W (Ta), 69 W (Tc) |
| Rds activé (max) | 12,3 mOhms à 12,7 A, 10 V |
| Paquet/caisse | TO-252-3, DPak (2 dérivations plus onglet), SC-63 |
| Dispositif fournisseur | D-PAK (À-252AA) |
| Autres noms | FDD4141-ND |
Patch de puce de transistor à effet de champ MOS FDD4141 TO-252
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