FDN352AP New Original SOT -23 Tube à effet de champ à canal P 30V 1.3A

FDN352AP New Original SOT -23 Tube à effet de champ à canal P 30V 1.3A

Modèle : FDN352AP
Marque : ON Semiconductor
Inventaire : 643 pièces
MOQ: 2 pièces
Délai de livraison : 3 jours
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Description

FDN352AP Nouveau tube à effet de champ à canal P original SOT -23 30V 1.3A

Numéro de modèleFDN352AP
CatégoriesProduits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET,
SériePowerTrench®
TechnologieMOSFET (oxyde métallique)
Vidange à la source30V
Courant -1.3A (Ta)
Tension d'entraînement4.5V, 10V
Vgs(th) (Max)2.5V @ 250µA
Frais de porte1,9 nC à 4,5 V
Capacité d'entrée150pF @ 15V
Vg (Max)±25V
Dissipation de puissance500mW (Ta)
Rds activé (max)180 mOhm @ 1.3A, 10V
Dispositif fournisseurSuperSOT-3
Autres noms

FDN352AP-ND


FDN352AP Nouveau tube à effet de champ à canal P original SOT -23 30V 1.3A

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