TO-247 600Transistor IGBT de haute qualité V 60 A FGH60N60SMD

TO-247 600Transistor IGBT de haute qualité V 60 A FGH60N60SMD

Modèle : FGH60N60SMD
Marque : ON Semiconductor
Inventaire : 874 pièces
MOQ: 2 pièces
Délai de livraison : 3 jours
Envoyez demande
Discuter maintenant
Description

TO-247 600Transistor IGBT de haute qualité V 60 A FGH60N60SMD

Numéro de modèleFGH60N60SMD
Statut de la pièceActif
Type d'IGBTArrêt sur le terrain
Tension - Collecteur600V
Courant - Collecteur120A
Courant - Collecteur180A
Vce(activé) (Max) @2.5V @ 15V, 60A
Puissance - Max600W
Changement d'énergie1,26 mJ (allumé), 450 µJ (éteint)
Type d'entréeStandard
Td (marche/arrêt) @ 25 degrés18ns/104ns
Condition de test400V, 60A, 3 Ohms, 15V

TO-247 600Transistor IGBT de haute qualité V 60 A FGH60N60SMD

étiquette à chaud: à -247 600transistor igbt de haute qualité v 60a fgh60n60smd, Chine, fournisseurs, vente en gros, achat, pas cher, remise, prix bas, en stock

Envoyez demande