STP110N7F6 110Fiche droite N7F6 TO220 68Tube à effet de champ MOS canal N V 110A
| Numéro de modèle | STP110N7F6 |
| Catégories | Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET |
| Série | STripFET™ F6 |
| Emballage | - |
| Statut de la pièce | Actif |
| 5850pF @ 25V | |
| Type FET | Canal N |
| Technologie | MOSFET (oxyde métallique) |
| Vidange à la source | 68V |
| Courant - | 110A (TC) |
| Tension d'entraînement (Max | 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Charge de porte (Qg) | 100 nC à 10 V |
| Vg (Max) | ±20V |
| Dissipation de puissance | 176W (TC) |
| Rds On (Max) @ Id, | 6,5 mOhms à 55 A, 10 V |
| Mémoire programme | - |
| Taille EEPROM | - |
| Taille de la RAM | - |
| Tension - Alimentation | - |
| Convertisseurs de données | - |
| Type d'oscillateur | - |
| en fonctionnement | -55 degré ~ 175 degrés (TJ) |
| Paquet/caisse | À-220-3 |
| Dispositif fournisseur | À-220 |
| Destinataire | - |
| Type de montage | À travers le trou |
| Forfait Standard | 2,000 |
STP110N7F6 110Fiche droite N7F6 TO220 68Tube à effet de champ MOS canal N V 110A
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